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UV-Photonengestützte Deposition von kubischen Bornitridschichten

 

Im Rahmen des Projekts wurden kubische Bornitridschichten mittels ionengestützter Laserpulsablation erzeugt und ihre strukturellen, optischen und mechanischen Eigenschaften in Abhängigkeit von den Depositionsparametern untersucht. Einen Schwerpunkt der Arbeiten bildeten dabei Untersuchungen zum Einfluß von UV-Photonen auf die Herausbildung der kubischen Phase durch Bestrahlung der aufwachsenden Schicht mit gepulsten Laserstrahlen der Wellenlängen 248 nm und 193 nm und kontinuierlicher Strahlung eines Excimerstrahlers der Wellenlänge 172 nm.
Mit dem Verfahren konnten phasenreine kubische Bornitridschichten auf einer 10 nm dicken hexagonalen Zwischenschicht, deren cAchse parallel zur Substratoberfläche orientiert ist, abgeschieden werden. Die maximalen Aufwachsraten betrugen 6 nm/min für die Nukleationsphase und 17 nm/min für die Wachstumsphase des c-BN. Unter Verwendung einer 200 nm dicken turbostratischen BN-Zwischenschicht konnten bislang bis zu 400 nm dicke nahezu phasenreine c-BN-Schichten haftfest auf Silicium abgeschieden werden. Infolge der Einwirkung von UV-Photonen der Laserwellenlänge 248 nm während des Schichtwachstums wurde eine Vergrößerung der c-BN-Kristallite um den Faktor 2 beobachtet.

 

 
 
Erstellt: 20.01.2012 09:39:56 | Letzte Änderung: 28.03.2003 09:19:58
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